近年來，鈣鈦礦太陽能電池在效率上取得了驚人的進步，但開路電壓Voc的提升卻遠遠落后于短路電流密度Jsc的提升。這成為了阻礙鈣鈦礦太陽能電池效率進一步突破的關(guān)鍵瓶頸。本文將回顧近年來關(guān)于鈣鈦礦太陽能電池Voc損耗的研究進展，并探討其未來發(fā)展方向。

理想的太陽能電池僅通過輻射復(fù)合途徑轉(zhuǎn)換能量，但實際上，各種非輻射復(fù)合途徑會導(dǎo)致額外的電壓損失，即Voc損耗。非輻射復(fù)合包括界面復(fù)合和缺陷復(fù)合，這些因素會造成光生載流子在到達電極之前發(fā)生能量損失。

研究進展回顧

理論模型的建立： 2018年，Nam-Gyu Park 和 Hiroshi Sekawa 在 ACS Photonics 上發(fā)表文章，指出鈣鈦礦太陽能電池的Voc僅達到理論極限的77%，并強調(diào)了降低Voc損耗的重要性。他們呼吁建立完善的理論模型和測量工具來分析Voc損耗機制。

定量分析的突破： 2019年，Nature Photonics 發(fā)表了23.2%效率的鈣鈦礦太陽能電池，其研究團隊利用Enlitech ELCT3011 和 REPS 系統(tǒng)定量分析了Voc的非輻射復(fù)合損耗，并驗證了鈍化層對提高Voc和效率的貢獻。

高效率電池的實現(xiàn)： 2020年，韓國蔚山科技大學 (UNIST) 在 Science 雜志上發(fā)表了24.8%效率的鈣鈦礦太陽能電池，實現(xiàn)了0.3V的低電壓損失。該研究同樣利用Enlitech ELCT3010 (現(xiàn)為Enlitech REPS) 對Voc損耗特性進行分析。

界面材料的優(yōu)化： 2022年，香港城市大學朱宗龍教授團隊在 Science 雜志上發(fā)表研究成果，利用二茂鐵基雙噻吩-2-羧酸酯 (FcTc2) 作為功能化界面層，有效減少了鈣鈦礦太陽能電池界面的非輻射復(fù)合，提升了Voc和效率。

研究方向展望

未來，鈣鈦礦太陽能電池的Voc損耗研究主要集中在以下幾個方面：

精確測量: 開發(fā)能夠精確測量Voc損耗的工具，例如Enlitech REPS系統(tǒng)，為研究人員提供更準確的數(shù)據(jù)。

深入分析: 通過理論模型和實驗數(shù)據(jù)分析，揭示Voc損耗的具體機制，以便針對性地解決問題。

界面工程: 設(shè)計和優(yōu)化界面材料，降低界面處的非輻射復(fù)合，提升能量轉(zhuǎn)換效率。

材料缺陷控制: 控制材料的缺陷密度，減少缺陷導(dǎo)致的非輻射復(fù)合，提高材料的穩(wěn)定性和耐久性。

總結(jié)

降低Voc損耗是提高鈣鈦礦太陽能電池效率的關(guān)鍵。通過精確的測量、深入的分析和合理的材料設(shè)計，可以有效降低Voc損耗，實現(xiàn)更高效率的鈣鈦礦太陽能電池，推動鈣鈦礦太陽能電池技術(shù)的發(fā)展

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